买卖IC网 >> 产品目录 >> DMN3030LFG-7 MOSFET 650V N-Ch Enh FET 30V VDSS 25V VGSS datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

DMN3030LFG-7

库存数量：可订货
制造商：Diodes Inc.
描述：MOSFET 650V N-Ch Enh FET 30V VDSS 25V VGSS
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 650V N-Ch Enh FET 30V VDSS 25V VGSS
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制造商 Diodes Inc.
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流 5.3 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 27 mOhms
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 PowerDI3333-8
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 DMN3030LFG-7
DMN3030LSS
DMN3030LSS-13
DMN3030LSS-13-F
DMN3031LSS
DMN3031LSS-13
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  • DMN3030LFG-7 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 0.676 0.676
    10 0.496 4.96
    100 0.426 42.6
    250 0.37 92.5
    2,000 0.214 428
    5,000 0 0